Компанія Samsung випускає новий стандарт ОЗП Low Latency Wide I/O (LLW) DRAM з вражаючою пропускною здатністю та низьким енергоспоживанням.
Компанія заявляє, що LLW DRAM призначена перш за все для систем штучного інтелекту на базі великих мовних моделей (LLM), але також ідеально підходить для різних завдань, включаючи клієнтські застосування.
Однією з ключових переваг нового продукту вважається пропускна здатність – 128 Гбайт/с на модуль, що легко конкурує з поєднанням пам’яті DDR5-8000 і 128-бітної шини. Це досягнуто завдяки широким можливостям вводу-виводу та низькій затримці.
Samsung акцентує на низькому енергоспоживанні LLW DRAM – лише 1,2 пДж/біт, надаючи ефективність без компромісів у продуктивності.
Хоча технічні деталі поки залишаються в таємниці, експерти вважають, що Samsung може використовувати технологію Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP), об’єднуючи кілька модулів DRAM для максимальної пропускної здатності та ефективного енергоспоживання.
Хоча точні терміни виходу продукту на ринок поки залишаються невизначеними, Samsung вже розкрила подробиці про очікувану продуктивність, що свідчить про завершення розробки LLW DRAM.
Очікується, що ця нова технологія стане незамінною у периферійних обчислювальних пристроях для систем штучного інтелекту, включаючи смартфони, ноутбуки та автомобільні системи.