Компанія Samsung Electronics оголосив про підписання контракту з компанією AMD на постачання пам’яті HBM3E на суму $3 млрд. Ця угода стала важливим кроком для Samsung у забезпеченні своєї позиції на ринку високопродуктивних пам’ятей, не дивлячись на конкуренцію від SK hynix.
Згідно з повідомленням TrendForce, AMD планує випустити прискорювачі обчислень Instinct MI350 у другій половині поточного року, оснащені 12-ярусними мікросхемами пам’яті типу HBM3E від Samsung. Цей крок відображає важливість співпраці між двома гігантами технологій, щоб задовольнити попит на продукти в області штучного інтелекту та інших високопродуктивних обчислювальних застосувань.
Мікросхеми HBM3E від компанії Samsung, представлені як частина сімейства Shinebolt, забезпечують значний рівень пропускної здатності до 1280 Гбайт/с. Вони відзначаються не лише підвищеною ємністю, а й вдосконаленою швидкодією, що в середньому на 34% перевищує попереднє покоління 8-ярусних чипів. Зазначено, що ці технологічні досягнення відкривають нові можливості для розвитку обчислювальних систем, що прискорюють розвиток штучного інтелекту та інших сучасних технологій.
У світлі цього контракту також згадуються можливі переговори між AMD і Samsung щодо контрактного виробництва чипів. Це відкриває перспективи для подальшого розширення співпраці між компаніями і підкреслює їхню впевненість у власних технологічних можливостях.