Світовий лідер у виробництві пам’яті Micron оголосив про старт масового виробництва передової пам’яті HBM3E у форматі 8-поверхових стеків об’ємом 24 Гбайт.
Ці інноваційні мікросхеми від компанії Micron призначені для використання у складі спеціалізованих ШІ-прискорювачів NVIDIA H200, масові поставки яких заплановані на другий квартал 2024 року.
Чипи пам’яті HBM3E від Micron відповідають цим вимогам, забезпечуючи швидкість передачі даних на рівні 9,2 Гбіт/с на контакт і пропускну здатність понад 1,2 Тбайт/с.
За даними компанії, їх чипи є до 30% енергоефективнішими порівняно з аналогічними рішеннями конкурентів.
Особливо важливою є велика ємність в 24 Гбайт чіпів, що дозволяє центрам обробки даних ефективно масштабувати завдання, пов’язані з ШІ, навчанням нейронних мереж або прискоренням інференсу.
Micron використовує передові технології у виробництві своїх чипів пам’яті HBM3E, включаючи технологічний процес 1β, наскрізні сполуки TSV та інші інноваційні рішення, що стосуються упаковки мікросхем. Крім того, компанія вироблятиме свої чипи на потужностях компанії TSMC.
Додатково, в березні цього року Micron почне розсилати виробникам образи передових 12-шарових чипів пам’яті HBM3E з об’ємом 36 Гбайт, що забезпечать ще вищу пропускну здатність, перевищуючи показники на рівні 1,2 Тбайт/с.